特許
J-GLOBAL ID：200903069223554470
半導体装置、その製造方法及び電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-056713
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142634
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 パッケージが薄くても充分な強度を得ることのできる半導体装置を提供する。【解決手段】一つの面上に形成された複数の配線膜3の一方の表面及び各隣接配線膜間部分上を覆い且つ配線膜を部分的に開口10にて露出させる絶縁膜9が形成され、複数の配線膜3の絶縁膜10と反対側の面であって該配線膜3及び各隣接配線膜3・3間部分上に一つの補強リング6が固定され、該補強リング6により囲繞された領域に、半導体チップ4が、その各電極が対応する上記配線膜3の内側部分と接続された状態でフェイスボンディングされ、半導体チップ4の少なくとも主表面が樹脂8で封止されてなる。
請求項（抜粋）：
複数の配線膜が一つの面上に形成され、該配線膜上に一つの補強リングが固定され、上記補強リングにより囲繞された領域に、半導体チップが、その各電極が対応する上記配線膜の内側部分と接続された状態でフェイスボンディングされ、上記半導体チップの少なくとも主表面の一部と配線膜の一部が樹脂で封止されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/28 C
, H01L 23/12 F
4M109AA01
, 4M109BA05
, 4M109CA06
, 4M109DB07
, 4M109DB12
