二重酸化膜の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216667
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121450
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】一回の酸化工程で厚さ均一性に優れた二重酸化膜を形成する。【解決手段】 SI基板に形成された損傷層又は基板に蒸着されたシリコン窒化膜により厚さが異なる二重酸化膜を形成する。乾式エッチングで基板の所定部分をエッチングし損傷層を形成する。この損傷層の酸化膜成長速度が基板の酸化膜成長速度よりも遅い特性を利用し二重酸化膜を形成する。損傷層のパターンを定義し、CF4,CHF3,又はArガスによる乾式エッチング法(900mTorr以下)や、Cl2又はHBrによる乾式エッチング法で、約20〜5000Åの損傷層を形成する。前処理段階ではNH4F,HF,H2Oが混合された洗浄液と、NH4OH,H2O,H2O2が混合された標準洗浄液及び(又は)HFを使用する。窒化膜を使用した場合、約10〜100Åのシリコン窒化膜を基板に塗布した後、シリコン窒化膜のパターンを定義しシリコン窒化膜の一部を除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に厚さがお互いに異なる二重酸化膜を形成する方法において、シリコン基板の表面に、損傷層を形成すべき領域を定義する段階と、前記段階で定義された領域に存在するシリコン基板を乾式エッチングして、所定の深さを有する損傷層を形成する段階と、前記損傷層が形成されたシリコン基板を洗浄する前処理段階と、前記損傷層が形成されたシリコン基板に酸化膜を成長させ、前記損傷層には薄い酸化膜を成長させて、前記損傷層が形成されていない基板には厚い酸化膜を成長させる段階とを備えたことを特徴とする二重酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 641

FI (3件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/304 641 , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭64-057627
シリコン基板の酸化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055802 出願人：住友金属工業株式会社
メモリ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-244949 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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