特許
J-GLOBAL ID：200903069448402890

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
広瀬 量平

広瀬 量平 について

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市川 将嗣

市川 将嗣 について

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佐野 雅彦

佐野 雅彦 について

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坂本 貴彦

坂本 貴彦 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-118855
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294566
出願日： 2006年04月24日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】好適な外部への光取り出し構造を有する半導体発光素子と、その製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】発光層3を含む積層構造10を有する半導体発光素子構造30を基板1上に設けた半導体発光素子であって、半導体発光素子構造30は、積層構造10の上端面4aにおいて、発光層3より基板面1aに近い層が露出した底面20bを有する凹状に形成された部位20における第1の側面20aと、積層構造10の外周に形成された第2の側面7とを有し、第1の側面20aは、発光層3若しくは基板面1aに略垂直に、かつ少なくとも一部が互いに対向するように形成され、第2の側面7は、積層構造10の上端面4aと基板面1aに接する積層構造10の下端面とを接続し、上端面4aから下端面に向かって内側に傾斜する傾斜面として形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層を含む半導体構造を有する半導体発光素子構造を基板上に設けた半導体発光素子であって、 前記半導体発光素子構造は、前記半導体構造の上端面において、前記発光層より前記基板面に近い半導体層が露出した底面を有する凹状に形成された部位における第1の側面と、当該半導体発光素子構造の外周の少なくとも一部に形成された第2の側面とを有し、 前記第1の側面は、前記発光層若しくは前記基板面に略垂直若しくは前記凹状に形成された部位の底面よりも開口部側が幅広に傾斜した面であり、かつ少なくとも一部が互いに対向するように形成され、 前記第2の側面は、前記半導体構造の上端面と前記基板面に接する前記半導体構造の下端面とを接続し、前記上端面から前記下端面に向かって内側に傾斜する傾斜面として形成されたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (16件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-304033   出願人：豊田合成株式会社
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044451   出願人：株式会社東芝
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-090968   出願人：京セラ株式会社
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