特許
J-GLOBAL ID：200903069593596597

微細パターン形成方法

発明者：
井口 悦子

井口 悦子 について

, 
脇屋 和正

脇屋 和正 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-126527
公開番号（公開出願番号）：特開2001-022084
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 反射防止膜を構成する成分の種類や含有割合を選択して、反射防止膜の屈折率(n)及び吸光係数(k)を調整し、反射防止膜の薄膜化を実現することを目的とする。【解決手段】 基板上に有機系反射防止膜を介して積層したホトレジスト膜に対し、画像形成露光を行ったのち、現像処理を施して微細パターンを形成するに当り、有機系反射防止膜の厚さを横軸とし、有機系反射防止膜とホトレジスト膜の界面における反射率を縦軸としてプロットしたときのグラフにおいて、その反射率の極小点近傍で変動値0.01を生じる膜厚の許容範囲が±0.01μmになるように、有機系反射防止膜の屈折率及び吸光係数を調整する。
請求項（抜粋）：
基板上に有機系反射防止膜を介して積層したホトレジスト膜に対し、画像形成露光を行ったのち、現像処理を施して微細パターンを形成する方法において、有機系反射防止膜の厚さを横軸とし、有機系反射防止膜とホトレジスト膜の界面における反射率を縦軸としてプロットしたときのグラフにおいて、その反射率の極小点近傍で変動値0.01を生じる膜厚の許容範囲が±0.01μm以内になるように、有機系反射防止膜の屈折率及び吸光係数を調整することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574
Fターム (8件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025DA34 ,  5F046PA07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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