特許
J-GLOBAL ID：200903078088416850
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239309
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093194
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 接触抵抗が小さく、低電圧動作が可能で、かつ高信頼性を有する窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系の窒化物半導体を用いた発光素子において、金属電極と接する部分の半導体層を、p型またはn型の、GaN1-X AsX 層(0〈X〈0.2)またはInGaN1-X AsX 層(0〈X〈0.2)とする。
請求項（抜粋）：
GaN系の窒化物半導体を用いた発光素子において、金属電極と接する部分の半導体層が、p型またはn型の、GaN1-X AsX 層(0〈X〈0.2)またはInGaN1-X AsX 層(0〈X〈0.2)であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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