特許
J-GLOBAL ID：200903069774523001
分布した粒子を用いてゲート開口部を画定するゲート型電子放出デバイスの製作
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-500698
公開番号（公開出願番号）：特表2000-512067
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：
【要約】下側非絶縁エミッタ領域(42)、上側絶縁層(44)、並びにゲート層(48A、60A、60B、120A、或いは180A/184)を有する電子エミッタが、粒子(46)が以下の層の1つの上に分布されるようなプロセスにより製作される。その層は、絶縁層、ゲート層、ゲート層上に設けられる一次層(50A、62A或いは72)、一次層上に設けられる追加の層(74)、或いはパターン転写層(182)である。ゲート層を貫通するゲート開口部(54、66、80、122、或いは186/188)を確定する際に、粒子が用いられる。絶縁層を貫通する誘電体開口部(56、58、80、114、128、144、或いは154)を形成する際に、ゲート開口部が様々に利用される。例えば、コーン(58A或いは70A)或いはフィラメント(106B、116B、130A、146A或いは156B)のような形状をなすことができる電子放出素子が、誘電体開口部内に形成される。
請求項（抜粋）：
電子放出デバイスを製作するための方法であって、 多数の粒子を構造体上に分布させる過程と、 前記粒子を用いて、前記構造体内の電気的絶縁層上に設けられる電気的非絶縁ゲート層を貫通して延在する同様に多数のゲート開口部に対する位置を確定する過程と、 前記ゲート開口部の側面端部を概ね覆うが、スペーサ材料を貫通して前記絶縁層まで延在する対応するアパーチャを残すように、前記ゲート開口部内に前記スペーサ材料を設ける過程と、 前記アパーチャを通して前記絶縁層をエッチングし、前記絶縁層を貫通して前記絶縁層の下側に設けられる下側電気的非絶縁領域に至る対応する誘電体開口部を形成する過程と、 前記誘電体開口部内に電気的非絶縁エミッタ材料を導入し、前記下側非絶縁領域上に対応する電子放出素子を形成する過程とを有することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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特開平4-196026
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電子放出源の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-071131
出願人：ソニー株式会社
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特開平4-196026
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