特許
J-GLOBAL ID：200903069805678351
グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにグレートーンマスクブランク
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-049425
公開番号（公開出願番号）：特開2006-268035
出願日： 2006年02月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】パターン形状及び断面形状の良好なハーフトーン膜タイプのグレートーンマスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板21上に形成された遮光膜22の上に第1レジストパターン23aを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして遮光膜パターン22aを形成する工程と、遮光膜パターン22a上に半透光膜24を形成し、その上に第2レジストパターン23bを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングして半透光膜パターン24aを形成する工程とを有し、半透光膜の材料は、遮光膜の材料よりも、半透光膜をエッチングするためのエッチャントに対しエッチングレートが大きい材料である。例えば、遮光膜はCrを主成分とする材料、半透光膜はCrとNとを含む材料である。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、
透明基板上に形成された遮光膜の上に、遮光部を形成するための第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成し、残存した第1のレジストパターンを剥離する工程と、
前記遮光膜パターン上に半透光膜を形成し、その上に透光部を形成するための第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンをマスクとして前記半透光膜をエッチングして半透光膜パターンを形成し、残存した第2のレジストパターンを剥離する工程と、
を有し、
前記半透光膜を構成する材料は、前記遮光膜を構成する材料よりも、前記半透光膜をエッチングするためのエッチャントに対し、エッチングレートが大きい材料であることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
2H095BB01
, 2H095BB15
, 2H095BB25
, 2H095BC05
, 2H095BC24
, 2H095BC27
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (14件)
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