特許
J-GLOBAL ID：200903069840065435

配線形成方法、多層配線基板及び半導体装置

発明者：
真篠 直寛

真篠 直寛 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145136
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332111
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 ダマシンプロセスを用いて配線を形成する方法において、機械的要因に左右されずに研磨終端を容易に検出可能とし、研磨対象の表面を機械加工し易くすると共に、導電性の高い配線を実現することを目的とする。【解決手段】 下層配線層10の上に形成された層間絶縁膜11に、ダマシンプロセスにより、所要形状にパターニングされた配線溝12と下層配線層10に達するビア・ホール13を形成し、その上に第1の導体層14を形成し、更に配線溝12とビア・ホール13を埋め込むように第2の導体層15を形成し、該導体層15の表面を機械研磨により研磨して平坦化し、第1の導体層14の表面が露出した時点で研磨を止め、露出した第1の導体層14のみをエッチング除去し、2層構造の導体層16,17を配線18として残す。
請求項（抜粋）：
下層配線層の上に形成された層間絶縁膜に、所要形状にパターニングされた、底部を有する配線溝をダマシンプロセスにより形成する第1の工程と、前記配線溝を含めて前記層間絶縁膜の上に第1の導体層を形成する第2の工程と、前記配線溝を埋め込むように前記第1の導体層の上に第2の導体層を形成する第3の工程と、前記第2の導体層の表面を機械研磨により研磨して平坦化し、前記層間絶縁膜の上の第1の導体層の表面を露出させる第4の工程と、前記露出した第1の導体層をエッチングして除去する第5の工程とを含むことを特徴とする配線形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 A
Fターム (14件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK07 ,  5F033MM02 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033SS15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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