半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-001546
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204061
出願日： 2002年01月08日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】メタル元素を含有するシリコン酸化膜を有する半導体装置において、その特性や信頼性の向上をはかる。【解決手段】半導体基板(11)と、半導体基板上に形成され、メタル元素を含有するシリコン酸化膜を含むゲート絶縁膜(14)と、ゲート絶縁膜上に形成された電極(15)とを含む半導体装置であって、メタル元素を含有するシリコン酸化膜は、下面近傍の第1の領域と、上面近傍の第2の領域と、第1の領域と第2の領域との間の第3の領域とを有し、シリコン酸化膜に含有されたメタル元素の厚さ方向における濃度分布は、第3の領域に最大点を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、メタル元素を含有するシリコン酸化膜を含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを含む半導体装置であって、前記メタル元素を含有するシリコン酸化膜は、下面近傍の第1の領域と、上面近傍の第2の領域と、第1の領域と第2の領域との間の第3の領域とを有し、前記シリコン酸化膜に含有されたメタル元素の厚さ方向における濃度分布は、前記第3の領域に最大点を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 29/43

FI (5件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G , H01L 29/62 G

Fターム (40件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB06 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104GG08 , 4M104HH04 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ10 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AA37 , 5F140BA01 , 5F140BD06 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭56-061165
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-192466 出願人：日本電気株式会社
高誘電率シリケート・ゲート誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242453 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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