特許
J-GLOBAL ID:200903069877423811

カーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源およびその製法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): アイアット国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-092829
公開番号(公開出願番号):特開2005-285344
出願日: 2004年03月26日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
【課題】 電子放出に要する電圧がより低い、カーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源を得る。【解決手段】 電界放出により電子を放出させる電子放出源の製法であって、導電性高分子とカーボンナノチューブとを含む溶液に、電源に接続された陽極と陰極とを挿入し、陰極に、導電性高分子とカーボンナノチューブとを堆積させるカーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源の製法を採用する。かかる製法の採用により、導電性高分子中にカーボンナノチューブが分散した膜を得ることができる。製造過程において、カーボンナノチューブは、その長さ方向を陰極に向けて堆積しやすくなる。このため、カーボンナノチューブが導電性高分子の膜に垂直に立設した形態の膜を得ることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電界放出により電子を放出させる電子放出源を製造する方法であって、 導電性高分子とカーボンナノチューブとを含む溶液に、電源に接続された陽極と陰極とを挿入し、陰極に、導電性高分子とカーボンナノチューブとを堆積させることを特徴とする、カーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源の製法。
IPC (5件):
H01J9/02 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04
FI (5件):
H01J9/02 B ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  H01J29/04 ,  H01J1/30 F
Fターム (23件):
4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD29 ,  4G146BA04 ,  4G146BA49 ,  4G146BB04 ,  4G146CB17 ,  4G146CB22 ,  5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127BB19 ,  5C127CC03 ,  5C127DD28 ,  5C127EE06 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AC01 ,  5C135HH06
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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引用文献:
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