特許
J-GLOBAL ID：200903069900305384

原子層堆積中の寄生化学気相成長を最小限に抑える装置と方法

発明者：
スネー,オフアー

スネー,オフアー について

, 
ガリユウスキー,カール

ガリユウスキー,カール について


出願人/特許権者：
ジエヌス・インコーポレイテツド

ジエヌス・インコーポレイテツド について


代理人 (1件)： 川口 義雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-545359
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517731
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2003年05月27日
要約：
【要約】原子層堆積(ALD)および他の連続した化学気相成長(CVD)プロセスなどの、層状堆積において堆積されたフィルムの汚染を回避するための新しい方法および装置が教示され、ALDフィルムのCVD堆積された汚染は、ALDチャンバに入る前に、さもなければ汚染するガス成分を、ガス供給装置の壁要素上に効果的に堆積させる、予備反応チャンバの使用によって防止される。
請求項（抜粋）：
(a)ガスソースとコーティングすべき基板との間に予備反応チャンバを設置するステップ、および (b)加熱された表面上にCVD反応によって汚染物質元素を堆積させるのに十分な温度まで、予備反応チャンバ内の表面を加熱するステップを含む、原子層堆積プロセス間の寄生化学気相成長を最小限に抑えるための方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285 C
Fターム (35件)：
4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA12 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA21 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045BB04 ,  5F045EE10 ,  5F045EE19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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