特許

J-GLOBAL ID：200903070034492801

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者： 中川 敦 ,  脇 英司
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-125322
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311029
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 電流コラプスを抑制することができる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層したIII-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に積層したIII-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない、微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層にショットキ接続する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (14件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142221   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-146563   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-160271   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-058603   出願人：シャープ株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-094755   出願人：ソニー株式会社
• III族窒化物半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-265854   出願人：日本電気株式会社