特許
J-GLOBAL ID：200903070055782281

絶縁膜の成膜処理装置及び処理方法

発明者：
元島 秀人

元島 秀人 について


出願人/特許権者：
鹿児島日本電気株式会社

鹿児島日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129261
公開番号（公開出願番号）：特開2000-328250
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：
【要約】【課題】減圧CVD法による減圧CVD成膜方法において、ガラス基板14に形成された導電性パタ-ン15と繋がる半導体素子を破壊することなく絶縁膜16を形成する。【解決手段】ガラス基板14に絶縁膜16を形成した後、接地電位であるステ-ジ4からガラス基板14と均熱板2とを重ねて組み込むトレ-1を離脱させ、トレ-の接地手段を取り外し、ガラス基板14の静電気をア-スに逃がすことなくガラス基板14と均熱板2とを同電位に保ち、ガラス基板14と均熱板2とを剥離するとき両者間の電位差をなくして半導体素子を破壊する放電を無くす。
請求項（抜粋）：
表面に導電性パタ-ンが形成された絶縁性基板の裏面を接地された均熱板に接触させて前記基板表面に絶縁膜を成膜する成膜処理装置において、前記絶縁膜を成膜後、前記均熱板を接地電位から浮かして前記基板と同電位にする基板保持機構を有し、前記同電位の状態で前記基板から前記均熱板を剥離する手段を備えることを特徴とする絶縁膜の成膜処理装置。
IPC (4件)：
C23C 16/56 ,  G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/30 348 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
C23C 16/56 ,  G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/30 348 A ,  H01L 21/31 C
Fターム (33件)：
2H090HA03 ,  2H090HB04X ,  2H090HC01 ,  2H090HC18 ,  2H090JB02 ,  4K030CA06 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030LA02 ,  4K030LA18 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F045AA08 ,  5F045AF07 ,  5F045CB04 ,  5F045CB05 ,  5F045EE14 ,  5F045EH14 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02 ,  5F045EM03 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (6件)
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