特許
J-GLOBAL ID：200903095061668108

先行プリメタル絶縁層用途に使用されるHDPーCVD PSG膜の形成方法及び装置

発明者：
ンサード ヒヘム

ンサード ヒヘム について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054273
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061409
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 PSGのような絶縁層を形成するための装置および方法、を提供する。【解決手段】プロセスは、プロセスガスがSiH4、PH3、O2およびアルゴンを含む場合、プロセスチャンバにプロセスガスを導入する工程を含む。プロセスは、また、初期期間中、約400から650°Cの間にペデスタルの温度を制御する工程、上記初期期間中、プロセスチャンバ内で、約1から10ミリトールの間の範囲で圧力を維持する工程を含む。さらに、プロセスは、誘導結合コイルにパワーを印加して上記初期期間中、プロセスチャンバ内のプロセスガスから高密度プラズマを形成する工程、上記プラズマを基板に向かってバイアスをかけ、プラズマのスパッタリング効果を促進させ、上記初期期間中、基板にわたりPSG膜を堆積させる工程を含む。
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバ内のペデスタル上に配置された基板上に膜を堆積するプロセスであって、前記プロセスチャンバにプロセスガスを導入し、前記プロセスガスは、SiH4、PH3、O2及びアルゴンを含む、ステップと;前記ペデスタルを初期期間(a first time period)中、約400から650°Cの温度範囲に制御するステップ;前記初期期間中、前記プロセスチャンバ内で、約1から25ミリトールの圧力範囲に維持するステップ;パワーを誘導結合コイルに印加し、前記初期期間中、前記プロセスチャンバ内の前記プロセスガスから高密度プラズマを形成するステップ;前記プラズマを前記基板に向かってバイアスをかけ、前記プラズマのスパッタリング効果を促進させ、前記初期期間中、前記基板にわたり前記膜を堆積させ、前記膜にPSG膜を含むステップ;とを備える前記プロセス。
IPC (4件)：
C23C 16/42 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285
FI (4件)：
C23C 16/42 ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/285 C
引用特許：
審査官引用 (10件)
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