特許
J-GLOBAL ID：200903070114129317
半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、電気光学装置、並びに電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-004844
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196570
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 バンプ電極の厚膜化や製造コストの低減化を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 バンプ電極10は、樹脂材12をコアとして少なくとも頂部が導電膜20で覆われている。電極端子24が形成された基板P上にインクジェット法により樹脂材を配置する工程と、電極端子24と樹脂材の頂部とを結ぶ金属配線20を形成する工程とを有する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
バンプ電極を有する半導体装置を製造する方法であって、
前記バンプ電極は、樹脂材をコアとして少なくとも頂部が導電膜で覆われており、
電極端子が形成された基板上にインクジェット法により前記樹脂材を配置する工程と、
前記電極端子と前記樹脂材の頂部とを結ぶ金属配線を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/92 602E
, H01L21/92 604E
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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