特許
J-GLOBAL ID：200903070137029140
有機フッ素系排ガスの分解処理方法及び分解処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241090
公開番号（公開出願番号）：特開平11-076740
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：
【要約】【解決手段】 半導体産業に代表される減圧を利用した半導体製造技術、例えば減圧CVD法熱CVD法,プラズマCVD法,光CVD法,プラズマエッチング法,イオンインプランテーション法等において、これらの各種装置から排出される有機フッ素系排ガスを減圧下において、高周波誘導結合方式の低温プラズマによって分解処理する方法において、被処理ガスに分解促進剤を用いることにより高い分解効率を達成しようとするものである。【効果】 これまで高周波誘導結合方式の低温プラズマによる分解処理においても分解が困難であった、有機フッ素系排ガス、例えばテトラフルオロメタン,ヘキサフルオロエタン,ジクロロジフルオロメタン,ジクロロテトラフルオロエタン,モノクロロジフルオロメタン,モノクロロジフルオロエタン,トリフルオロメタン,トリフルオロエタン等を高い分解効率で分解処理できる。また、上記排ガスを容易に無害化処理できる性状に分解処理することで上記排ガスの大気への放出量が削減され、地球環境維持に貢献できる。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置より排出される有機フッ素系排ガスを分解促進剤の存在下に、0.01〜30Torrの減圧下、周波数が1〜100MHzの高周波誘導結合方式の低温プラズマにて分解処理することを特徴とする有機フッ素系排ガスの分解処理方法。
IPC (4件)：
B01D 53/32
, A62D 3/00 ZAB
, B01D 53/34 ZAB
, B01D 53/70
B01D 53/32
, A62D 3/00 ZAB
, B01D 53/34 ZAB
, B01D 53/34 134 E
