特許

J-GLOBAL ID：200903070223861141

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三瀬 信行 ,  鳥海 明
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-027879
公開番号（公開出願番号）：特開2007-208160
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】high-k(高誘電率)膜を含むゲート絶縁膜を用いたMISトランジスタの信頼性および特性を向上させる。【解決手段】ゲート長が10nm以下のMISトランジスタにおいて、シリコン基板11上に形成された酸化シリコン膜4およびその酸化シリコン膜4上に形成されたhigh-k膜5を含んでなるゲート絶縁膜2は、ゲート長方向において中央より側面側で窒素を多く含み、かつ、膜厚方向において下面側より上面側で窒素を多く含む窒素領域21を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、 前記シリコン基板上に形成されたhigh-k膜を含んでなるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有するMISトランジスタを備えた半導体装置であって、 前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極のゲート長方向において、前記ゲート電極の中央側より周辺側で窒素がより多く含まれており、かつ、前記ゲート絶縁膜の膜厚方向において、前記シリコン基板側より前記ゲート電極側で窒素がより多く含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28

FI (11件)：

H01L29/78 617S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301D ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/28 301R

Fターム (80件)：

4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF14 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE05 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF06 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG22 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK32 ,  5F110HK40 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ09 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA21 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF34 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (5件)

• MOS型トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-194118   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207712   出願人：富士通株式会社, 株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049464   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-083380   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-306113   出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049464   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-306113   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-083380   出願人：株式会社東芝