半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049464
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249649
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】高誘電材料をゲート絶縁膜として用いつつ、上述したような界面酸化層の形成を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体層(10)と、前記半導体層の上に設けられ、金属元素を含有する酸化物からなり、膜面に対して平行な方向に見たときにその中央よりも両端において窒素(N)及びアルミニウム(Al)の少なくともいずれかの含有量が相対的に高いゲート絶縁膜(12)と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極(13)と、を備えた半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体層と、前記半導体層の上に設けられ、金属元素を含有する酸化物からなり、膜面に対して平行な方向に見たときにその中央よりも両端において窒素(N)及びアルミニウム(Al)の少なくともいずれかの含有量が相対的に高いゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G

Fターム (45件)：

5F058BF02 , 5F058BJ10 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AA23 , 5F140AA29 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BE15 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG49 , 5F140BG50 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK16 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (7件)

拡散障壁を有するゲート誘電体を備えた半導体デバイスおよびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-047192 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-108128 出願人：シャープ株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122018 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Thermally Stable Ultra-Thin Nitrogen Incorporated ZrO2 Gate Dielectric Prepared by Low Temperature O
Si-Doped Aluminates for High Tmeperature Metal-Gate CMOS: Zr-Al-Si-O, A Novel Gate Dielectric for Lo

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