特許
J-GLOBAL ID:200903098257634502
半導体装置とその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-083380
公開番号(公開出願番号):特開2002-359371
出願日: 2002年03月25日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】MOSFETのゲート絶縁膜を耐熱性、耐酸化性の制限によりゲートエッジの丸め酸化を行うことができない材料で形成した場合でも、ゲートエッジの丸め酸化を行うことなく、ゲートエッジでの電界集中を緩和することができ、高い信頼性のある半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜およびその上に形成されたゲート電極とを持つMOSFETとを具備する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜中の誘電率を、その中央部または前記半導体基板に接する側の方が周辺部またはゲート電極に接する側よりも高く設定して構成される。
請求項(抜粋):
半導体基板と、この半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜およびその上に形成されたゲート電極とを持つMOSFETとを具備し、前記ゲート絶縁膜中の誘電率は前記半導体基板に接する側の方がゲート電極に接する側よりも高い、半導体装置。
IPC (3件):
H01L 29/78
, H01L 21/316
, H01L 21/318
FI (3件):
H01L 21/316 X
, H01L 21/318 B
, H01L 29/78 301 G
Fターム (40件):
5F058BA01
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BC08
, 5F058BF04
, 5F058BF06
, 5F058BH16
, 5F140AA19
, 5F140AB03
, 5F140BA01
, 5F140BD07
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BD15
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BE13
, 5F140BE17
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BG08
, 5F140BG14
, 5F140BG37
, 5F140BG53
, 5F140BH14
, 5F140BH15
, 5F140BJ01
, 5F140BJ08
, 5F140BK02
, 5F140CA03
, 5F140CB01
, 5F140CB04
, 5F140CB08
, 5F140CC03
, 5F140CC12
, 5F140CE07
, 5F140CF04
引用特許:
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