特許
J-GLOBAL ID：200903054992099109
p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005231
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200214
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 p型のドーパントであるマグネシウムの発光層への拡散を防止することによって、バンド間遷移確率の高い窒化ガリウム系レーザまたは設計値通りのスペクトルで発光する窒化ガリウム系発光ダイオードなどの窒化ガリウム系発光素子を提供すること。【解決手段】 マグネシウムが添加されたp型半導体層と発光層の間に、珪素が添加されたn型半導体層を形成する。前記n型半導体層がマグネシウムの拡散を防止するため、マグネシウムがp型半導体層から発光層へと拡散することがない。よって、本発明の窒化ガリウム系レーザは、量子井戸層に於けるバンド間遷移確率が低下することがなく、発振しきい値電流が低い。また本発明の発光ダイオードは、発光が期待したスペクトルからずれることがない。
請求項（抜粋）：
p型半導体層とn型半導体層により活性層を挟んだダブルへテロ構造を有し、前記p型半導体層に半導体層中を拡散しやすいp型ドーパント材料が添加された窒化ガリウム系発光素子であって、前記p型半導体層と活性層の間にn型拡散防止層が設けられていることを特徴とする窒化ガリウム系発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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