トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-132400
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305768
出願日： 2006年05月11日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】高いMR比を有すると共にピンホールの少ないバリア層を有する高品質のTMR膜を安定して得ることができるTMR素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法を提供する。【解決手段】強磁性層間にトンネルバリア層が挟設されてなるTMR素子の製造方法であって、トンネルバリア層を作製する工程が、強磁性層上に第1の金属材料膜を成膜し、成膜した第1の金属材料膜を酸化し、酸化して得た金属酸化膜上に第1の金属材料膜と同一金属材料の又は同一金属材料を主とする金属材料の第2の金属材料膜を成膜し、成膜した第2の金属材料膜を第1の金属材料膜の酸化時より低い酸素圧力で酸化することを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

強磁性層間にトンネルバリア層が挟設されてなるトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記トンネルバリア層を作製する工程が、前記強磁性層上に第1の金属材料膜を成膜し、該成膜した第1の金属材料膜を酸化し、該酸化して得た金属酸化膜上に前記第1の金属材料膜と同一金属材料の又は同一金属材料を主とする金属材料の第2の金属材料膜を成膜し、該成膜した第2の金属材料膜を前記第1の金属材料膜の酸化時より低い酸素圧力で酸化することを含むことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 43/12 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11B 5/39

FI (5件)：

H01L43/12 , H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L27/10 447 , G11B5/39

Fターム (34件)：

4M119AA15 , 4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119DD03 , 4M119JJ02 , 5D034BA03 , 5D034DA07 , 5F092AA02 , 5F092AA11 , 5F092AB03 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB03 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BB59 , 5F092BB60 , 5F092BB65 , 5F092BB66 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC18 , 5F092CA13 , 5F092CA14

引用特許：

出願人引用 (2件)

磁気トンネル接合素子およびその製造方法ならびに磁気トンネル接合型ヘッドおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-352008 出願人：ティーディーケイ株式会社
磁気抵抗効果素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-259280 出願人：キヤノンアネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (5件)

磁気抵抗効果素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-013220 出願人：松下電器産業株式会社
磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-189366 出願人：株式会社東芝
トンネルバリア層およびその形成方法並びにMTJ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-346048 出願人：マグアイシーテクノロジーズインコーポレイテッド

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