特許
J-GLOBAL ID：200903070349870480

固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
神戸 秀夫

神戸 秀夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193278
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019360
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】プロセス中の金属汚染による結晶欠陥の発生を抑制して、暗電流の発生を抑えて量子効率を向上させることができる裏面照射型の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板20に炭素をイオン注入することによりゲッタリング層21を形成し、p+ 型不純物層22を形成した後に、基板20上にp型エピタキシャル層10を形成する。このとき、p+ 型不純物層22中のp型不純物がp型エピタキシャル層10に拡散して、p+ 型不純物層11が形成される。その後、p型エピタキシャル層10に、光電変換により発生する電荷を蓄積するn型領域を含む半導体領域やトランジスタを形成し、さらに、p型エピタキシャル層10上に配線層36を形成する。配線層36を形成した後、配線層36上に支持基板40を形成し、ゲッタリング層21を含めて基板20を除去する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
ゲッタリング層を内部に含む基板上に、第1導電型のエピタキシャル層が形成され、前記基板と前記エピタキシャル層の界面を跨がるように前記基板および前記エピタキシャル層に、前記エピタキシャル層よりも第1導電型の不純物濃度が高い第1導電型不純物層が形成された構造体を作製する工程と、 前記エピタキシャル層に光電変換により発生する電荷を蓄積する第2導電型領域を形成する工程と、 前記エピタキシャル層上に配線層を形成する工程と、 前記基板を除去する工程と を有する固体撮像装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U ,  H01L31/10 A
Fターム (26件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DA32 ,  4M118DA35 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049RA08 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ13
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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