半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-291610
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064190
出願日： 2003年08月11日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】半導体装置において素子の高速動作と高い信頼性との同時実現を図る。その結果として高速動作ならびに高信頼性の高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜5がソース・ドレイン領域7上にも存在し、且つソース・ドレイン領域7上のゲート絶縁膜5は金属を含むゲート電極6下のゲート絶縁膜5と異なる厚さを持つ。この様にすることで、ゲート絶縁膜5の表面や底面に誘起される分極電荷の位置を調節し、ゲート電極6下端角部における電場を緩和することができる。その結果としてゲート絶縁膜の絶縁破壊や信頼性の低下等の問題を抑制する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板表面に形成されるチャネル予定領域のゲート長方向に隣接配置された一対のソース・ドレイン領域と、前記半導体基板側に金属を含み、前記チャネル予定領域上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板と前記ゲート電極との重なり領域に形成された、第一の厚さを備える中央部、および前記中央部をゲート長方向から挟み、前記ソース・ドレイン領域の一部上に形成された、前記第一の厚さと異なる膜厚を有する一対の端部を備えたゲート絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/78 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L29/78 301G , H01L21/283 C , H01L21/316 Y , H01L29/78 617S , H01L29/50 M

Fターム (128件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104DD65 , 4M104DD66 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 4M104HH18 , 5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF12 , 5F058BJ01 , 5F110AA02 , 5F110AA12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110HL02 , 5F110HL05 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110QQ11 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AA11 , 5F140AA19 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD16 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BG03 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG20 , 5F140BG22 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG29 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH16 , 5F140BH32 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK15 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-131363 出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (7件)

特開昭63-211678
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-185888 出願人：松下電子工業株式会社
MOSデバイスの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-007903 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション

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