発光装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-206269
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210053
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】構造が簡単なために製造が容易で、大きな発光効率を長期間安定して得ることができる発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板1の第1の主表面の側に、n型窒化物半導体層2と、窒化物半導体基板から見てn型窒化物半導体層より遠くに位置するp型窒化物半導体層6と、n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層6の間に位置する発光層4とを備え、窒化物半導体基板の比抵抗が0.5Ω・cm以下であり、p型窒化物半導体層の側をダウン実装し、窒化物半導体基板の第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面1aから光を放出する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第1の主表面の側に、n型窒化物半導体層と、前記窒化物半導体基板から見て前記n型窒化物半導体層より遠くに位置するp型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層の間に位置する発光層とを備えた発光装置であって、前記窒化物半導体基板の比抵抗が0.5Ω・cm以下であり、前記p型窒化物半導体層の側をダウン実装し、前記窒化物半導体基板の前記第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面から光を放出する、発光装置。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (22件)：

5F041AA03 , 5F041AA43 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041DA02 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA18 , 5F041DA26 , 5F041DA44 , 5F041DA58 , 5F041DB01 , 5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (4件)

多数チップ半導体LEDアセンブリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-139659 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-224608 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社光波
チップ型発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-204685 出願人：ローム株式会社

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審査官引用 (20件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-010135 出願人：松下電子工業株式会社
窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-144151 出願人：住友電気工業株式会社
白色LED
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-212381 出願人：住友電気工業株式会社

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