特許
J-GLOBAL ID：200903070552028299

有機デバイス加工装置及び有機デバイス加工方法

発明者：
鎌田 英樹

鎌田 英樹 について

, 
市原 正浩

市原 正浩 について

, 
伊藤 義郎

伊藤 義郎 について

, 
多幡 能徳

多幡 能徳 について

, 
永井 裕之

永井 裕之 について

, 
齋藤 史朗

齋藤 史朗 について


出願人/特許権者：
トッキ株式会社

トッキ株式会社 について

, 
国立大学法人長岡技術科学大学

国立大学法人長岡技術科学大学 について

, 
アイシン精機株式会社

アイシン精機株式会社 について

, 
シグマ光機株式会社

シグマ光機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉井 剛 ,  吉井 雅栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080019
公開番号（公開出願番号）：特開2008-238195
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】加工形状を高精度に制御した加工が可能となる極めて実用性に秀れた有機デバイス加工装置の提供。【解決手段】基板上に第一電極膜層、有機膜層、第二電極膜層及び保護層のうち少なくとも有機膜層を含む2層以上を積層して成る有機デバイスに対してレーザを照射して配線パターン加工若しくは開口加工を行う有機デバイス加工装置において、前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、前記有機デバイスの被加工部位の反射率に基づき、前記加工用レーザの出力を調整する出力調整機構とを備える。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板上に第一電極膜層、有機膜層、第二電極膜層及び保護層のうち少なくとも有機膜層を含む2層以上を積層して成る有機デバイスに対してレーザを照射して配線パターン加工若しくは開口加工を行う有機デバイス加工装置において、 前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、 前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、 前記有機デバイスの被加工部位の反射率に基づき、前記加工用レーザの出力を調整する出力調整機構とを備えたことを特徴とする有機デバイス加工装置。
IPC (6件)：
B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  B23K 26/08 ,  B23K 26/04 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (7件)：
B23K26/00 M ,  B23K26/00 H ,  B23K26/06 Z ,  B23K26/08 F ,  B23K26/04 C ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (13件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107GG14 ,  3K107GG31 ,  4E068CA02 ,  4E068CA11 ,  4E068CB01 ,  4E068CB09 ,  4E068CC01 ,  4E068CE05 ,  4E068DA09
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM