特許
J-GLOBAL ID：200903070687967449
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222171
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053384
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 内部狭窄構造を有する半導体レーザ装置において、高い出力まで基本横モード発振を得、かつ信頼性を向上させる。【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n-In0.49Ga0.51P下部クラッド層12、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層13、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3圧縮歪量子井戸活性層14、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層15、p-In0.49Ga0.51P上部第一クラッド層16、Inx1Ga1-x1As1-y1Py1エッチング阻止層17、n-In0.49(Alz1Ga1-z1)0.51P電流狭窄層18、n-In0.49Ga0.51Pキャップ層19、GaAsキャップ層20、SiO2膜21を形成し、ストライプ領域のSiO2膜21を除去し、これをマスクとして、GaAsキャップ層20をエッチングし、n-In0.49Ga0.51Pキャップ層19、n-In0.49(Alz1Ga1-z1)0.51P電流狭窄層18をエッチングする。SiO2膜21とn-GaAsキャップ層20と溝の底面のInx3Ga1-x3As1-y3Py3エッチング阻止層17を除去する。p-Inx4Ga1-x4As1-y4Py4上部第二クラッド層22、p-GaAsコンタクト層23を形成する。
請求項（抜粋）：
第一導電型GaAs基板上に、第一導電型下部クラッド層、下部光導波層、組成比が0<x3≦0.4および0≦y3≦0.1であるIn<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>As<SB>1-y3</SB>P<SB>y3</SB>圧縮歪量子井戸活性層、上部光導波層、第二導電型In<SB>0.49</SB>Ga<SB>0.51</SB>P上部第一クラッド層、電流注入窓となるストライプ部が除去された、組成比が0≦x1≦0.3および0≦y1≦0.6であるIn<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As<SB>1-y1</SB>P<SB>y1</SB>エッチング阻止層、電流注入窓となるストライプ部が除去された、組成比が0<z≦0.1である第一導電型In<SB>0.49</SB>(Al<SB>z1</SB>Ga<SB>1-z1</SB>)<SB>0.51</SB>P電流狭窄層、電流注入窓となるストライプ部が除去されたIn<SB>0.49</SB>Ga<SB>0.51</SB>Pキャップ層がこの順に形成された結晶層の上に、組成比がx4=(0.49±0.01)y4および0.9≦y4≦1である第二導電型In<SB>x4</SB>Ga<SB>1-x4</SB>As<SB>1-y4</SB>P<SB>y4</SB>上部第二クラッド層および第二導電型コンタクト層がこの順に形成されてなる屈折率導波機構を備えており、前記圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積の絶対値が0.25nm以下であり、前記エッチング阻止層の歪量と膜厚の積の絶対値が0.25nm以下であり、前記圧縮歪量子井戸活性層およびエッチング阻止層以外の全ての層が、前記第一導電型GaAs基板と格子整合する組成であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F073AA09
, 5F073AA20
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073CB10
, 5F073DA05
, 5F073DA22
