特許
J-GLOBAL ID：200903070799494160
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345962
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168106
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 エミッタ層やエッチングストッパ層としてInGaPやInGaPに類似した材料を用いても電流利得βが低下しないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 エミッタ層3やエッチングストッパ層等の燐を用いた混晶層に隣接する層に燐をドーピングしたエピタキシャル層2、4を用いることにより、界面における再結合を減少させることができる。これは燐をドーピングしたエピタキシャル層は、III-V族化合物半導体と格子不整合による結晶歪みの影響によるデバイス特性が悪化しない程度に燐の濃度を1×1021cm-3以下に制御するためである。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層及びエッチングストッパ層等の燐を用いた混晶層に隣接するエピタキシャル層に、燐がドーピングされていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003AP04
, 5F003BC05
, 5F003BE00
, 5F003BE01
, 5F003BE02
, 5F003BE04
, 5F003BF06
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP23
, 5F003BP32
, 5F003BP96
