特許
J-GLOBAL ID：200903070876055493

ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
瀬田 渉二

瀬田 渉二 について

, 
竹川 陽一

竹川 陽一 について

, 
関根 誠

関根 誠 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268864
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093886
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 シリコン酸化膜の選択エッチング方法において、エッチング抑制膜として新規な材料を用いることにより、ボーダレスなエッチングにならないドライエッチング方法及びこの方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 エッチング抑制膜11としてC及びHを含有するシリコン酸化膜(有機シリコン酸化膜)を用いる。反応性ガスを活性化させて半導体基板16上の被エッチング膜10を選択的にエッチングする。前記C及びHを含有するシリコン酸化膜(有機シリコン酸化膜)は、エッチング後、改質処理または剥離をする。反応性ガスは、C及びFを含有するガスと不活性ガスとの混合ガスから構成され、この反応性ガス中のC、F及びO2 のモル比が、C/O2 ≧6、F/O2≧5.3である。反応性ガスの総流量に対し、酸素ガス流量は、5、5%以下である。反応性ガスは、C4 F8 、CO、ArO2 を含んでいる。
請求項（抜粋）：
活性化された反応ガスを用いて行うドライエッチングにより被エッチング膜としてシリコン酸化膜を選択的にエッチングする方法において、エッチング抑制膜としてC及びHまたはHを含有するシリコン酸化膜を用いることにより基板上の前記被エッチング膜を選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (6件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/08 102 C
Fターム (72件)：
5F004AA03 ,  5F004AA05 ,  5F004AA11 ,  5F004BA08 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB08 ,  5F004BB13 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F004EA33 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004EB04 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA74 ,  5F032AA77 ,  5F032AA84 ,  5F032BB06 ,  5F032BB08 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA09 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA78 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN40 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR25 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033WW04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX31 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB13 ,  5F048BF00 ,  5F048BF02 ,  5F048BF18 ,  5F048BG02 ,  5F048BG03 ,  5F048BG14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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