コンタクトホールの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109609
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303299
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】ボーダーレスコンタクトホールの形成位置がずれたとしても、このホールが電極には達するが基板には達しないようにする。【解決手段】下地15上に設けられた電極17xを覆う絶縁膜21に、この電極と電気的接続を行うためのコンタクトホール27を形成するにあたり、電極に接してエッチングストッパ層19xを形成した後、ボーダーレスコンタクトホールを形成のためのエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

下地上に設けられた電極を覆う絶縁膜に、該電極と電気的接続を行うためのボーダーレスコンタクトホールを形成するにあたり、前記絶縁膜の下側に、前記電極に接してエッチングストッパ層を予め形成しておいて、前記ボーダーレスコンタクトホール形成のためのエッチングを行うことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/302 J

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-154765 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-154764 出願人：三洋電機株式会社
バイアをつくる方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-104296 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-154765 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-154764 出願人：三洋電機株式会社
バイアをつくる方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-104296 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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