特許
J-GLOBAL ID：200903070899740282
酸化亜鉛系導電膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットとその製法、および酸化亜鉛系導電膜の製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
植木 久一
, 菅河 忠志
, 二口 治
, 伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-246411
公開番号（公開出願番号）：特開2007-056352
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】 イオンプレーティング法において、スプラッシュの発生を抑制し、又は発生することなしに、均質で高性能の酸化亜鉛系導電膜を与えるターゲットとその有用な製法を提供すること。【解決手段】 酸化亜鉛主体の焼結体からなり、外形から求められる体積に対する開空孔の割合が15〜40%で、閉空孔の割合が3.0%以下であり、イオンプレーティング時にスプラッシュを生じることのない酸化亜鉛系導電膜形成用のターゲットを開示する。
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛主体の焼結体からなり、外形から求められる体積に対する開空孔の割合が15〜40%であり、閉空孔の割合が3.0%以下であることを特徴とする酸化亜鉛系導電膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/32 A
, C04B35/00 P
4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030BA02
, 4G030GA11
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4K029BA49
, 4K029BC09
, 4K029CA03
, 4K029DD05
出願人引用 (2件)
-
酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-251530
出願人：住友重機械工業株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
-
酸化物膜の作製方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-175034
出願人：日本真空技術株式会社
審査官引用 (5件)
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