特許
J-GLOBAL ID:200903071164050092

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-053969
公開番号(公開出願番号):特開2000-252410
出願日: 1999年03月02日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置の歩留まりが低下する。【解決手段】 樹脂封止体と、前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第1の半導体チップ及び第2の半導体チップと、前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第1の半導体チップの電極に電気的に接続される第1のリードと、前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第2の半導体チップの電極に電気的に接続される第2のリードとを有する半導体装置の製造方法であって、前記第1のリード、第2のリードの夫々を重ね合わせた状態で前記樹脂封止体を形成した後、前記第1のリード、第2のリードの夫々を溶接にて接合する。前記溶接は、前記第1のリード、第2のリードのうちの何れか一方の上方からレーザ光を照射して行う。
請求項(抜粋):
樹脂封止体と、前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第1の半導体チップ及び第2の半導体チップと、前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第1の半導体チップの電極に電気的に接続される第1のリードと、前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第2の半導体チップの電極に電気的に接続される第2のリードとを有する半導体装置の製造方法であって、前記第1のリード、第2のリードの夫々を重ね合わせた状態で前記樹脂封止体を形成した後、前記第1のリード、第2のリードの夫々を溶接にて接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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