特許
J-GLOBAL ID:200903071183445359

複数の半導体チップおよび電子部品を備える2枚の基板を有するパワーエレクトロニックパッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 矢作 和行 ,  野々部 泰平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-126042
公開番号(公開出願番号):特開2008-060531
出願日: 2007年05月10日
公開日(公表日): 2008年03月13日
要約:
【課題】複数の半導体チップ及び電子部品を備える2枚の基板を有するパワーエレクトロニックパッケージの熱放射性能を向上すること。【解決手段】第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板の間には、複数の半導体チップおよび電子部品が配設される。第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板の各々の電気導体層は、機械的および電気的に半導体チップおよび電子部品と接続される。第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板の各々は、相互に結合される複数の隆起領域、すなわちポストをさらに含む。隆起領域、すなわちポストの数、配置、および各々の隆起領域、すなわちポストの形状は、第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板の間に機械的分離をもたらすように調整される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板と、 前記第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板の間に配置される、複数の半導体チップ及び電子部品とを備え、 前記第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板の各々は、電気絶縁体層および複数のパターン形成された電気導体層を含み、それらは交互に積み重ねられており、 前記電気導体層は、機械的および電気的に前記半導体チップおよび前記電子部品と接続され、 前記第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板の各々は、さらに、複数の隆起領域、すなわちポストを含み、当該隆起領域、すなわちポストは、前記第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板が機械的および電気的に接続されるように、相互に結合され、 前記隆起領域、すなわちポストの数、配置、および各々の隆起領域、すなわちポストの形状は、前記第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板の間に機械的分離をもたらすように調整され、 前記電気導体層は、複数の電気回路が前記第1および第2の高熱伝導率絶縁非平面基板のうちの少なくとも一方に設けられるように、互いに分離絶縁されることを特徴とするパワーエレクトロニックパッケージ。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 米国特許出願公報第2003/0132511号
  • 米国特許出願公報第2003/0090873号
審査官引用 (5件)
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