特許
J-GLOBAL ID：200903089440099757
金属-セラミックス回路基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154343
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356502
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】金属回路が純粋なアルミニウムからなる場合だけでなくアルミニウム合金からなる場合や、アルミニウム合金のろう材を介してアルミニウム板をセラミックス基板に接合して金属回路を形成する場合にも、金属回路パターンの周縁の波打ち幅が小さく且つスカート長さのばらつきが小さい金属-セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板10の少なくとも一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属層12を形成し、この金属層12上に所定の形状のレジスト14を形成した後、塩化第二鉄と水と混合して且つ酸を添加しないで調製された混合液からなるエッチング液によって金属層12の不要部分をエッチングして除去することにより、セラミックス基板10の少なくとも一方の面に金属回路12を形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属回路が形成された金属-セラミックス回路基板の製造方法において、セラミックス基板の少なくとも一方の面に主成分としてアルミニウムを含む金属層を形成し、この金属層上に所定の形状のレジストを形成した後、酸を添加することなく塩化第二鉄と水を混合した混合液からなるエッチング液によって前記金属層の不要部分をエッチングして除去することにより、セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属回路を形成することを特徴とする、金属-セラミックス回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K3/06 M
, H05K3/06 A
, H01L23/12 C
5E339AB06
, 5E339AD01
, 5E339BC03
, 5E339BD06
, 5E339BD11
, 5E339BE13
, 5E339BE17
, 5E339CC02
, 5E339CD01
, 5E339CE13
, 5E339CE18
, 5E339CG04
, 5E339GG02
