半導体素子用バンプ及びそのバンプ形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021013
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213701
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】バンプ頂部と基板の電極部との間に接着剤が残ることを防ぎ、良好な電気的接続が得られる形状を持った半導体素子用バンプ及びそのバンプ形成方法を提供する。【解決手段】半導体素子1の全面にネガ型感光性ポリイミド30を塗布し、次にパッド2の中心部にのみ開口する小さな開口部10を有するフォトマスク11を用いてネガ型感光性ポリイミドを露光し、次いでネガ型感光性ポリイミドを途中まで現像し、以後前記開口部よりは順次大きい開口部13を有するフォトマスク14を用いてネガ型感光性ポリイミド3aを露光することとネガ型感光性ポリイミドを途中まで現像することを少なくとも1回繰り返し、最終の現像は最後まで行って階段状凸形のポリイミドバンプ16を形成し、然る後この階段状凸形のポリイミドバンプの外表面に導電膜17を形成するバンプ形成方法。

請求項（抜粋）：

基板の電極部と半導体素子を電気的に導通するための半導体素子用バンプが、半導体素子のパッド上に設けられた導電膜被覆のポリイミドバンプであって、該バンプの外形状が二股以上の階段状凸形に形成されていることを特徴とする半導体素子用バンプ。

FI (3件)：

H01L 21/92 602 E , H01L 21/92 602 G , H01L 21/92 603 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

バンプ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-192107 出願人：田中貴金属工業株式会社
特開昭63-275127
特開平3-174731

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