特許
J-GLOBAL ID：200903071476409535
DRAMセルのための小型化可能なワ-ド線路構造体およびその製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240046
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091524
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 DRAMセルのための小型化可能なワード線路構造体およびその製造法を提供する。【解決手段】 DRAMセルのためのワード線路構造体は、全体的に平坦な基板と、前記基板から与えられた距離だけ外側に突き出ている複数個のメサ型活性領域とを有する。メサ型活性領域のおのおのは、その中に作成された2個のワード線路受入れ領域を有する。実質的に真っ直ぐで平行な複数個のワード線路がまた備えられる。これらの中の2個のワード線路は、メサ型活性領域のおのおのの中に作成された2個のワード線路受入れ領域の中に埋め込まれる。ワード線路の内側表面は、メサ型活性領域の外側表面の内側に配置される。この構造体はさらに基板の上に配置された絶縁体層を有する。この絶縁体層は、複数個のメサ型活性領域の間に複数個の分離領域を形成する。
請求項（抜粋）：
(a) 全体的に平坦な基板と、(b) 前記基板の上に作成されおよびそれから与えられた距離だけ外側に突き出ておりおよび前記基板から前記与えられた距離に外側表面を有する複数個のメサ型活性領域であって、前記外側表面のおのおのがその中に作成された2個のワード線路受入れ領域を有し、前記ワード線路受入れ領域のおのおのが床部分を有する前記メサ型活性領域と、(c) おのおのが内側表面および外側表面を有する実質的に真っ直ぐで平行な複数個のワード線路であって、前記メサ型活性領域の前記外側表面の内側に配置されおよび前記床部分に隣接して配置された前記ワード線路の前記内側表面を備えた前記メサ型活性領域の前記外側表面の中に作成された前記2個のワード線路受入れ領域の中に前記複数個のワード線路の中の2個のワード線路が埋め込まれた前記複数個のワード線路と、(d) 前記基板の上に配置された絶縁体層であって、前記絶縁体層が絶縁体層厚さを有し、前記絶縁体層が前記複数個のメサ型活性領域の間に複数個の分離領域を形成し、与えられた1つの前記メサ型活性領域と与えられた1つの前記分離領域と与えられた1つの前記ワード線路とにより形成される与えられた境界において前記メサ型活性領域の前記外側表面の中に作成された前記ワード線路受入れ領域の前記床部分から外側に配置された外側端部を前記分離領域が有する前記絶縁体層と、を有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)セルのためのワード線構造体。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
