特許
J-GLOBAL ID:200903071504625958

多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中島 司朗 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-099514
公開番号(公開出願番号):特開2001-284732
出願日: 2000年03月31日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 多波長の高出力なレーザ光を出射することが可能な多波長レーザ発光装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザアレイ素子の異なる波長を発振する第1レーザアレイ層及び第2レーザアレイ層を対向させて積層させて配置する。それぞれにおいて、導波本路121および導波本路123が連結導波路125により連結されているので、共振器122と共振器124が共有される。このため、別々の導波本路121及び123から発振されるレーザ光同士の波長及び位相双方の整合が行われ、各レーザ光はフェーズロックされるので集光レンズにより容易に集光することができ、高出力を得ることができる。
請求項(抜粋):
出力するレーザ光の波長が異なる複数の半導体レーザアレイ素子と、前記複数の半導体レーザアレイ素子から発光された複数のレーザ光を所定の位置に集光する光学素子とを備え、少なくとも一の半導体レーザアレイ素子は、電流ブロック層にて仕切られた光導波路が一の基板上に複数列設されて形成されたレーザアレイ層を1層または複数層含み、少なくとも一のレーザアレイ層の光導波路のうち少なくとも隣合うもの2つが互いに光結合されることを特徴とする多波長レーザ発光装置。
IPC (6件):
H01S 5/22 610 ,  A61B 18/20 ,  H01S 3/00 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/16 ,  B23K 26/00
FI (6件):
H01S 5/22 610 ,  H01S 3/00 B ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/16 ,  B23K 26/00 Z ,  A61B 17/36 350
Fターム (33件):
4C026AA02 ,  4C026AA03 ,  4C026AA04 ,  4C026BB08 ,  4C026FF02 ,  4C026FF03 ,  4E068AE00 ,  4E068AF00 ,  4E068AH00 ,  4E068CK01 ,  5F072AB13 ,  5F072JJ04 ,  5F072RR03 ,  5F072YY06 ,  5F073AA12 ,  5F073AA61 ,  5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA86 ,  5F073AB04 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073BA09 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA31 ,  5F073DA33 ,  5F073EA04 ,  5F073EA24 ,  5F073GA02
引用特許:
審査官引用 (18件)
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