半導体回路装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106994
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299386
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】トランジスタの高周波を劣化させることなく、変調特性に優れたバラクタを実現する。【解決手段】エミッタ層51、エミッタ中間層52、エミッタ中間層53、エミッタ・コンタクト層54の順にn型不純物濃度が高くなる構成とする。トランジスタ部10aでは、p型ベース層4とエミッタ層51との間に形成されるpn接合の接合容量は低く抑られ、高周波特性の劣化が防止される。バラクタ部11aにおいては、高不純物濃度のエミッタ中間層53にはアノード電極104aが、一方、低不純物濃度のエミッタ層51の上にはカソード電極105aが形成され、超階段接合構造のダイオードを構成している。カソード電極105aの直下に合金化領域6aを形成することで、オーミック性の電極にする。

請求項（抜粋）：

少なくともトランジスタと可変容量ダイオードとを一の半導体基板上に形成した半導体回路装置であって、前記トランジスタは、不純物の濃度が略単調に変化している、第一の導電形式の半導体を有する第1の不純物濃度傾斜部を含んで構成されたものであり、前記可変容量ダイオードは、不純物の濃度がその場所によって異なる、第一の導電形式の半導体を有する第2の不純物濃度傾斜部と、前記第2の不純物濃度傾斜部に設けられ、前記第2の不純物濃度傾斜部と共にショットキー接合型のダイオードを構成したアノード端子と、前記第2の不純物濃度傾斜部における、前記不純物の濃度が前記アノード端子が設けられている部分よりも低く、且つ、前記アノード端子が設けられている部分との間における電気的な経路に沿って前記不純物の濃度が略単調に減少している部分に設けられたカソード端子とを備えて構成されたものであることを特徴とする半導体回路装置。

IPC (8件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/93

FI (5件)：

H01L 27/06 101 D , H01L 29/93 , H01L 27/04 A , H01L 29/205 , H01L 29/72

Fターム (31件)：

5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BH08 , 5F003BJ18 , 5F003BJ93 , 5F003BJ99 , 5F003BM02 , 5F003BP32 , 5F038AC05 , 5F038AC20 , 5F038AZ01 , 5F038AZ10 , 5F038DF01 , 5F038DF02 , 5F038EZ02 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F082AA11 , 5F082BA47 , 5F082BC01 , 5F082BC12 , 5F082BC13 , 5F082BC18 , 5F082BC20 , 5F082CA02 , 5F082DA09 , 5F082EA08 , 5F082EA14 , 5F082EA23 , 5F082FA18

引用特許：

審査官引用 (7件)

モノリシック電圧制御発振器
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-168335 出願人：日本電気株式会社
化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-227689 出願人：日立電線株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-328109 出願人：株式会社村田製作所

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