特許
J-GLOBAL ID：200903071880534521
半導体レーザ素子および半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-191279
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021762
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】半導体レーザより発生する熱を効率よく放熱し、かつ、半導体レーザ素子をヒートシンクに融着する際に発生する内部ストレスを低減する半導体レーザを提供する。【解決手段】第1伝導型半導体基板1上に、少なくとも第1伝導型クラッド層2と、活性層3と、第2伝導型クラッド層4と電極層7を有する半導体レーザ素子において、電極層7上に形成したAuメッキ層8と、前記Auメッキ層8上に形成した半田と合金化しない非合金化電極層9と、合金化電極層10を有する。この半導体レーザ素子を、合金半田を用いて合金化電極層10の上面をヒートシンクに融着した場合、非合金化電極層9は溶融せず、合金化電極層10のみが合金半田と溶融して合金化し接合されるため、Auメッキ層8が合金半田と溶融することがなく、合金半田の組成ずれ、及びAuメッキ層8の溶融による層厚の薄膜化を防ぐ。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
該基板上に設けられた、活性層を含む多層膜と、
前記多層膜の上部に設けられた電極層と、
該電極層上に設けられたAu層と、
前記Au層の上部に設けられた、半田と合金化しない非合金化電極層と、
前記非合金化電極層上に設けられた、半田と合金化する合金化電極層と、
を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/042 612
, H01L23/40 F
5F136BC02
, 5F136BC03
, 5F136DA34
, 5F136EA13
, 5F173AA08
, 5F173AH02
, 5F173AH06
, 5F173AH22
, 5F173AK04
, 5F173AK08
, 5F173AK17
, 5F173AK21
, 5F173AK23
