特許
J-GLOBAL ID：200903066977526384

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
大渕 修三

大渕 修三 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-281786
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100369
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 電極層の歪応力のばらつきを低減し、スロープ効率などの特性の良い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 厚膜電極層34とボンディングメタル層36との間に半田56と合金化しにくい材料から成るバリアメタル層35を介在させる。バリアメタル層35の厚みは、第5の厚みT5に選ばれ、ボンディングメタル層36の厚みは、第6の厚みT6に選ばれる。したがって、半導体レーザ素子1を半田56によって被接続体55に接続したときの、第1電極部3Aを形成する材料と半田56との合金化の反応は、バリアメタル層34で止まる。また、合金化の反応は、半田56とバリアメタル層35との間のボンディングメタル層全体に一様に生じる。そのため、バリアメタル層35に生じた合金が厚膜電極層34に加える応力は、一様となるので、厚膜電極層34の歪応力のばらつきを低減することができ、スロープ効率などの特性の良い半導体レーザ素子となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、半導体基板の一表面上に、半導体層が積層されて形成される発光層と、この半導体層の積層方向一方側の発光層の一表面上に設けられ、被接続体に半田によって接続される電極部とを含む半導体レーザ素子であって、 電極部は、 発光層寄りに設けられる電極層と、 電極層の発光層とは反対側の表面上に積層され、前記半田によって、電極層を形成する材料と半田との化合物が形成されることを防止するバリアメタル層と、 バリアメタル層の電極層とは反対側の表面上に積層され、被接続体に接続されるボンディングメタル層とを有し、 前記発光層は、活性層を有し、 前記電極層と活性層との間の最短距離が0.05μm以上3μm以下に選ばれ、 前記電極層の厚みは、0.5μm以上5μm以下に選ばれることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/042
FI (1件)：
H01S5/042 612
Fターム (10件)：
5F173AA08 ,  5F173AA53 ,  5F173AH02 ,  5F173AK08 ,  5F173AK20 ,  5F173AK23 ,  5F173AP02 ,  5F173AP92 ,  5F173AR52 ,  5F173AR96
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (21件)
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