特許
J-GLOBAL ID：200903020612578695
化合物半導体太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148489
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 主として銅(Cu)及びインジウム(In)によって形成されて成るp型半導体層を具備するpn接合の化合物半導体太陽電池を製造する際に、p型半導体層内の結晶性を向上し得る化合物半導体太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板10の一面側に形成された電極膜としてのモリブデン層12上に、インジウム層13と銅層15とを積層して成る金属膜を形成した後、前記金属膜に硫化処理を施してCuInS2から成るp型半導体層14を形成し、次いで、p型半導体層14をKCN溶液によって洗浄し、硫化銅等の不純物を除去するKCN処理を施した後、p型半導体層14上にn型半導体層16を形成して化合物半導体太陽電池を製造する際に、該インジウム層13を加熱しつつ蒸着によって形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板の一面側に形成された電極膜上にインジウム層と銅層とを積層して成る金属膜を形成した後、前記金属膜に硫化処理又はセレン化処理を施してCuInS2又はCuInSe2から成るp型半導体層を形成し、次いで、前記p型半導体層をKCN溶液による洗浄によって、硫化銅やセレン化銅等の不純物を除去するKCN処理を施した後、前記p型半導体層上にn型半導体層を形成して化合物半導体太陽電池を製造する際に、該インジウム層を加熱しつつ形成すること、又は形成した前記インジウム層の表面を露出させた状態で、前記インジウム層に加熱処理を施すことを特徴とする化合物半導体太陽電池の製造方法。
Fターム (6件)：
5F051AA10
, 5F051DA03
, 5F051FA06
, 5F051FA14
, 5F051FA16
, 5F051GA03
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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