半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-297586
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123991
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】仕事関数が所望の値に制御されたメタルゲート電極を備える半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板2上に、ゲート絶縁膜4を介して、N等を含有する仕事関数制御層5、SiまたはAlを含んだ中間層6、およびMoN層等の低抵抗層7が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。その形成時には、ゲート絶縁膜4上に仕事関数制御層5、中間層6および低抵抗層7の各層の積層後、ゲート加工を行い、LDD領域9、サイドウォール8およびソース・ドレイン領域10を順に形成して、半導体基板2に導入した不純物の活性化アニールを行う。仕事関数制御層5と低抵抗層7との間に中間層6を設けたことにより、仕事関数制御層5へのあるいは仕事関数制御層5からのN等の拡散が抑制され、その仕事関数の変動が抑制されるようになる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

メタルゲート電極を備える半導体装置の製造方法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に仕事関数を制御する仕事関数制御層を形成する工程と、前記仕事関数制御層上に前記仕事関数に影響する元素の拡散を抑制する中間層を形成する工程と、前記中間層上に前記元素を含有する導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/08 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L29/78 301G , H01L27/08 321D , H01L27/08 331E , H01L21/28 301R , H01L29/58 G , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M

Fターム (136件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104BB26 , 4M104BB29 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104CC05 , 4M104DD40 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F110AA26 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE12 , 5F110EE15 , 5F110EE32 , 5F110EE36 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK32 , 5F110HK40 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ08 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BF10 , 5F140BF14 , 5F140BF15 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF24 , 5F140BF27 , 5F140BF28 , 5F140BF30 , 5F140BF38 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG31 , 5F140BG32 , 5F140BG38 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK34 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07 , 5F140CF04 , 5F140CF05

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-267833 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
半導体デバイスおよびCMOSデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-237361 出願人：台湾積體電路製造股ふん有限公司
MOS構造を有する半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-201701 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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審査官引用 (2件)

特開昭63-300562
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-333958 出願人：東京エレクトロン株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所, 沖電気工業株式会社

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