特許
J-GLOBAL ID：200903072179972847

半導体装置のヒューズ素子

発明者：
崔 定▲ひゅく▼

崔 定▲ひゅく▼ について

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李 定衡

李 定衡 について

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金 東浚

金 東浚 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171145
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017878
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【課題】 切断用トランジスタを小さくして集積性を向上させた半導体装置用のヒューズ素子を提供する。【解決手段】 ヒューズF1にエミッタ端子を接続したPNPバイポーラトランジスタQ11と、バイポーラトランジスタQ11のコレクタ端子にベース端子を接続し、バイポーラトランジスタQ11のベース端子にコレクタ端子を接続したNPNバイポーラトランジスタQ12と、バイポーラトランジスタQ11のベース端子にドレイン端子を接続し、バイポーラトランジスタQ12のエミッタ端子にソース端子を接続し接地した切断トランジスタS1と、を備えたヒューズ素子とする。各バイポーラトランジスタによる増幅作用で切断トランジスタS1を大きくしなくとも十分な切断電流を流すことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されるヒューズ素子であって、第1導電形のウェル内にチャネル領域を挟んで形成した第2導電形の第1不純物領域及び第2不純物領域からなる電界効果トランジスタと、前記ウェル及び前記第1、第2不純物領域からなるバイポーラトランジスタと、前記第1不純物領域に電気的に接続するヒューズ層と、を少なくとも備えることを特徴とするヒューズ素子。
IPC (7件)：
H01L 21/82 ,  H01H 85/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 491
FI (5件)：
H01L 21/82 F ,  H01H 85/00 T ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 回路構成選択装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-336545   出願人：松下電子工業株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-263359   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開昭63-181351
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審査官引用 (6件)
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