特許
J-GLOBAL ID：200903072204287860

積層型圧電素子及びその製造方法

発明者：
岩瀬 昭夫

岩瀬 昭夫 について

, 
猪俣 純朋

猪俣 純朋 について

, 
深谷 輝和

深谷 輝和 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-352958
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186507
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】電気的信頼性が高く,耐久性が高い積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】セラミック層11と内部電極層12とを交互に積層してなるセラミック積層体10と,セラミック積層体10の外周面における一対の接合面15それぞれに設けられた一対の外部電極とを有する積層型圧電素子である。そして,各内部電極層12は,隣接して積層されたセラミック層11から突出する電極突出部120を,少なくともいずれか一方の接合面15に有している。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
セラミック層と内部電極層とを交互に積層してなるセラミック積層体と,該セラミック積層体の外周面における一対の接合面それぞれに接合した一対の外部電極とを有する積層型圧電素子において, 上記各内部電極層は,隣接して積層された上記セラミック層から突出する電極突出部を,少なくともいずれか一方の上記接合面に有していることを特徴とする積層型圧電素子。
IPC (3件)：
H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22
FI (3件)：
H01L41/08 Q ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101D
引用特許：
審査官引用 (16件)
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