特許
J-GLOBAL ID：200903072256625217
窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-240116
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079867
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】広帯域な発光スペクトルを有するGaN系発光装置を提供する。【解決手段】LED1は基板10上に順次n-GaN層、InGaN発光層、p-GaN層、p-電極、n-電極を形成して構成される。基板10上に複数のLED1をモノリシックに複数形成して直列接続するとともに、InGaN発光層を形成する際にウエハ面内で温度分布を生じさせ、組成分布を起こさせる。これにより、広帯域なスペクトルを有する発光装置100が得られる。In組成を調整することで発光色が白色となる。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体装置を製造する方法であって、
(a)基板面内で温度分布を生じさせるステップと、
(b)前記面内分布よりも小さいピッチで前記基板上にモノリシックに複数の窒化ガリウム系化合物半導体を形成するステップと、
(c)前記複数の窒化ガリウム系化合物半導体を直列接続するステップ、
を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 F
, H01L21/205
5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA75
, 5F041CA99
, 5F041CB25
, 5F041CB29
, 5F041FF11
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD09
, 5F045AD11
, 5F045AD14
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF07
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045BB12
, 5F045HA06
