特許
J-GLOBAL ID：200903072258380149
フォトレジストパタ-ンの製造方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311652
公開番号（公開出願番号）：特開2000-137329
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 小さな臨界寸法の開口部を限定するフォトレジストパターンの製造方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 重合体の骨格に、酸により化学反応を起こすマロン酸エステル基が結合された重合体Aと重合体のガラス転移温度以下で熱分解されて分子間相互作用を増やす基が結合された重合体Bとよりなる重合体混合物、または重合体のガラス転移温度以下で熱分解される基が結合された重合体Bと酸により化学反応を起こす(メタ)アクリル酸エステルをモノマーとして含む重合体Cとよりなる重合体混合物を主構成成分とするフォトレジスト組成物を使用して開口部を限定するフォトレジストパターンを形成する。次に、フォトレジストパターンを次熱処理によって流動させて開口部を縮める。コントラストが大きくて流動率調節が容易な重合体混合物よりなるフォトレジスト組成物を使用するため、小さな臨界寸法の開口部を限定するフォトレジストパターンが形成できる。
請求項（抜粋）：
パタニングしようとする物質膜が形成されている半導体基板を提供する段階と、酸により化学反応を起こすマロン酸エステル基を重合体骨格中に有する重合体Aと、重合体のガラス転移温度以下で熱分解されて分子間相互作用を増やす基を重合体骨格中に有する重合体Bとが混合された重合体混合物I、または前記重合体Bと、酸により化学反応を起こす(メタ)アクリル酸エステルをモノマーとして含む重合体Cとが混合された重合体混合物II、及び光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物を使用して前記物質膜上にフォトレジスト膜を形成する段階と、前記フォトレジスト膜をパタニングして開口部を限定するフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンに対して1次熱処理を実施して前記開口部の寸法を縮める段階とを含むことを特徴とするフォトレジストパターンの製造方法。
IPC (6件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/40 511
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/40 511
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 571
