特許
J-GLOBAL ID：200903072510360784
炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、及び炭化珪素単結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-255673
公開番号（公開出願番号）：特開2008-074663
出願日： 2006年09月21日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】成長中に結晶中の不純濃度を変化させる場合でも、結晶性に優れる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶成長中に雰囲気ガス中の不純物濃度を変化させる際に、成長温度が一定になるように温度制御する。雰囲気ガス中の不純物としては窒素を用い、その濃度を変化させることによって、結晶中の窒素濃度を変化させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長中に結晶中の不純物濃度を漸増あるいは漸減させる際に、成長温度が一定になるように温度制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
4G077AA02
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077DB12
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077EG18
, 4G077FJ06
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA08
, 4G077SA11
