特許
J-GLOBAL ID：200903072531584607

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-165447
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003875
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、非晶質珪素膜を短時間で結晶化して、広い面積にわたって高い結晶性を有する結晶性珪素膜の新規で且つ極めて有用な作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ワンショットで大面積の照射領域を有するレーザー光を、意図的に触媒元素を導入した非晶質珪素膜に照射することにより結晶化させ、結晶性珪素膜を得る。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜を形成する第1の工程と、前記非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する触媒元素を保持する第2の工程と、前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (15件)：
5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA20 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052EA01 ,  5F052FA06 ,  5F052HA03 ,  5F052JA01 ,  5F052JA02 ,  5F052JA04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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