特許
J-GLOBAL ID：200903072539736007

プラズマ処理装置

発明者：
廣島 満

廣島 満 について

, 
朝倉 浩海

朝倉 浩海 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (4件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  前田 厚司 ,  前堀 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-152668
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306042
出願日： 2007年06月08日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】誘電体板を支持する梁状構造物を有するプラズマ処理装置において、梁状構造物表面の微量の削れを高水準で防止する。【解決手段】ドライエッチング装置1は、梁状スペーサ7によって支持され、かつ梁状スペーサ7に設けられた窓部7dを介してチャンバ3の内部に臨む誘電体板8を備える。誘電体板8の上方にはプラズマ発生のためのICPコイル11が配置されている。誘電体材料からなるカバー9が梁状スペーサ7の下面側に配置されている。カバー9は梁状スペーサ7の下面のうち少なくとも窓部7d以外の部分を覆う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内部に基板(2)が配置され、かつプロセスガスが導入される真空容器(3)と、 前記基板と対向する前記真空容器の上部開口に配置され、かつ複数の窓部(7d,7f,7h,7i)を備える梁状構造物(7)と、 前記梁状構造物によって支持され、かつ前記窓部を介して前記真空容器の内部に臨む誘電体板(8,43,44,45)と、 前記梁状構造物の下面側に配置され、前記梁状構造物の下面のうち少なくとも前記窓部以外の部分を覆う誘電体材料からなるカバー(9,32,42)と、 前記誘電体板の上面側に配置され、高周波電力が投入されるプラズマ発生のためのコイル(11)と を備える、プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/507 ,  C23C 16/44
FI (4件)：
H01L21/302 101C ,  H01L21/205 ,  C23C16/507 ,  C23C16/44 B
Fターム (16件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F004BC01 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F045AA08 ,  5F045DP04 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EJ10
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM