磁気検出素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：野▲崎▼ 照夫 , 三輪正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-048716
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186658
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】特に固定磁性層と第1の反強磁性層との交換結合膜の構造を適正化することで、前記固定磁性層を適切に磁化固定できるとともに、再生出力の向上を図り、さらには狭ギャップ化等に適切に対応することが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供すること目的としている。【解決手段】固定磁性層26を、人工フェリ構造にし、前記第1の反強磁性層30間にトラック幅方向に所定の間隔Cを空け、交換結合磁界を、第1の磁性層29の両側端部29aと第1の反強磁性層30間でのみ生じさせることで、固定磁性層26の磁化固定を可能にできるとともに、再生出力を向上でき、狭ギャップ化を実現でき、さらに静電破壊(ESD)に強い磁気検出素子を製造することができる。よって今後の更なる高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を提供することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも第1の反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を積層形成した多層膜と、前記フリー磁性層の磁化制御を行うための磁化制御層とを有し、前記固定磁性層は、トラック幅方向に延び、前記第1の反強磁性層に接する側の第1の磁性層と、前記第1の磁性層と膜厚方向で対向する第2の磁性層と、前記第1の磁性層と第2の磁性層間に介在する非磁性中間層とを有して構成され、前記第1の磁性層と第2の磁性層は互いに磁化が反平行状態にあり、前記第1の反強磁性層はトラック幅方向に所定間隔の間欠部を介して、前記第1の磁性層のトラック幅方向の両側端部に膜厚方向から接して設けられ、前記間欠部での前記フリー磁性層の磁化の方向と前記第2の磁性層内の磁化の方向とで電気抵抗が変化することを特徴とする磁気検出素子。

IPC (6件)：

H01L43/08 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10 , H01L43/12

FI (7件)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 B , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10 , H01L43/12

Fターム (10件)：

5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA12 , 5D034CA06 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA16

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-332226 出願人：富士通株式会社
交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-081820 出願人：アルプス電気株式会社
熱的に安定なデュアル・ジャイアント磁気抵抗記録ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-307744 出願人：リード-ライトコーポレーション

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