特許
J-GLOBAL ID:200903072711858241

粒子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-113172
公開番号(公開出願番号):特開2009-263152
出願日: 2008年04月23日
公開日(公表日): 2009年11月12日
要約:
【課題】シリカをコア材としながら、負帯電量が高く、且つ、吸湿性が格段に低減されているために帯電保持性能、帯電特性の安定性に優れる粒子および該粒子の製造方法の提供。【解決手段】シリカとその表面に形成されてなるフッ素含有ポリマーを含む表面層からなる粒子であって、シリカの比表面積Ssが、理論表面積Ss0に対する比表面積比(Ss/Ss0)が2以下であり、且つ、粒子の摩擦帯電極性が負であり摩擦帯電量の絶対値が50μc/g以上であることを特徴とする粒子。該粒子は、アルコキシシランの加水分解・縮合反応により得られたシリカ粒子を650〜1180°Cで焼成することによって、比表面積比(Ss/Ss0)が2以下であるシリカを製造する工程と、該シリカにフッ素含有ポリマーを含む表面層を形成させる工程とを有する製造方法により製造することが好ましい。【選択図】なし
請求項(抜粋):
シリカとその表面に形成されてなるフッ素含有ポリマーを含む表面層からなる粒子であって、該シリカの比表面積Ssが、下記式(1)で示される理論表面積Ss0に対する比表面積比(Ss/Ss0)が2以下であり、且つ、粒子の摩擦帯電量の絶対値が50μc/g以上であることを特徴とする、粒子。 Ss0(m2/g)=6/(ρ×d)・・・・・・(1) ρ:シリカの真比重 d:シリカの1次粒子径の平均値(μm)
IPC (1件):
C01B 33/18
FI (1件):
C01B33/18 C
Fターム (19件):
4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072DD05 ,  4G072GG01 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ05 ,  4G072JJ47 ,  4G072KK03 ,  4G072LL11 ,  4G072MM01 ,  4G072MM33 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ07 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072TT05 ,  4G072TT30 ,  4G072UU07
引用特許:
出願人引用 (12件)
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